Grundlagen der Halbleiter-Elektronik by Rudolf Müller

By Rudolf Müller

Aus den Besprechungen: "... Das Buch ist in einer sehr guten Didaktik geschrieben. Dadurch wird dem Leser das Verständnis des oft komplizierten Geschehens im Halbleiter leicht verständlich gemacht. Ohne die Exaktheit darunter leiden zu lassen, werden so die wesentlichen Zusammenhänge, verbunden mit den wichtigsten mathematischen Beziehungen, dargestellt. Dadurch wird effektiv zwischen den Grundlagen aus der theoretischen Physik zu den ingenieursmäßigen Anwendungen vermittelt. Übungen mit Lösungen sind zur Vertiefung und Überprüfung des erworbenen Wissens nach jedem Abschnitt eingefügt..." #Elektronische Informationsverarbeitung#
"...leicht verständlich geschrieben. Jedes Kapitel wird mit einer Reihe von Übungsaufgaben abgeschlossen, die zur Vertiefung des Stoffes bzw. zur Selbstkontrolle für das Verständnis dienen sollen. ... eignet sich daher sowohl als vertiefender Begleittext zu den entsprechenden Fachvorlesungen als auch zum Selbstunterricht." #Nachrichtentechnische Zeitschrift#

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So ist die reziproke mittlere freie Flugzeit (Stoßzeit): - 1 Tc = - 1 Tel + - 1 + .. . ) Die Beweglichkeit wird daher von der Temperatur (thermische Gitterstreuung) und von der Dotierungsdichte (Störstellenstreuung) abhängen, wobei jeweils der Prozeß mit der kürzeren freien Flugzeit bestimmend wirkt. Die Beweglichkeiten für schwach dotiertes Material bei Zimmertemperatur sind in Tab. 1 (S. 191) angegeben. Abb. 21 zeigt die Abhängigkeit der Beweglichkeit von der Dotierungskonzentration für Zimmer- -- T 300 K r- 10 I 10 4 cm~Vs I I - ~ II flp -,....

E(Dngradn - Dpgrad p), die den Ladungstransport allfgrund der thermischen Bewegung in Konzentrationsgefällen erfaßt. Die Verschiebungsstromdichte ist durch eine zeitliche Änderung des elektrischen Feldes gegeben i = 6 oE/at und nicht mit einem Transport freier Ladungsträger verbunden. Die Gesamtstromdichte ist die Summe aus Konvektions- und Verschiebungsstromdichte. 14 Was ist der Hall-Effekt und wie kann er im Störstellenhalbleiter zur Messung der Trägerdichte verwendet werden? Antwort: s. S.

A Qd!.. Z_3----- 013 Ailli. §.. t~------055--0,52 _3}~___ ~b5---0~-----------0,39' - 9l!... Q2l.. Q1L 0,16 Ql!. QJ.?. 023 Li Cu Abb. 34. Gemessene Ionisationsenergien einiger Dotierungselemente in Ge, Si und GaAs, (15), (24); die Niveaus unter der Bandmitte sind von der oberen Bandkante des Valenzbandes gemessen und stellen Akzeptorniveaus dar, wenn nicht durch D (Donator) gekennzeichnet; die Niveaus über der Bandmitte sind von der unteren Bandkante des Leitungsbandes gemessen und stellen Donatorniveaus dar, wenn nicht durch A (Akzeptor) gekennzeichnet.

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